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  • MOSFET N/P 20 V 2.4 A 140 m? MICRO8 N/P, 1.25 W

    MOSFET N/P 20 V 2.4 A 140 m? MICRO8 N/P, 1.25 W

    Power MOSFETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: MICRO8, Polarität: N/P, Verlustleistung: 1.25 W, MOSFET N/P 20 V 2.4 A 140 m? MICRO8

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  • Brückentreiber 0.42 A 0.2 12...20 V 10...25 DIL-8 -40...+125 °C

    Brückentreiber 0.42 A 0.2 12...20 V 10...25 DIL-8 -40...+125 °C

    High and Low Side Treiber. Bezeichnung: Brückentreiber, Ausgangsspannung: 12...20 V, Betriebstemperatur: -40...+125 °C, Versorgungsspannung: 10...25 V, Eingang: Logikeingang, Gehäuse: DIL-8, Sink-Ausgangsstrom: 0.42 A, Source-Ausgangsstrom: 0.2 A, Brückent

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  • Brückentreiber 0.42 A 0.2 10...20 V 10...25 DIL-28 -40...+125 °C

    Brückentreiber 0.42 A 0.2 10...20 V 10...25 DIL-28 -40...+125 °C

    High and Low Side Treiber. Bezeichnung: Brückentreiber, Ausgangsspannung: 10...20 V, Betriebstemperatur: -40...+125 °C, Versorgungsspannung: 10...25 V, Eingang: Logikeingang, Gehäuse: DIL-28, Sink-Ausgangsstrom: 0.42 A, Source-Ausgangsstrom: 0.2 A, Brücken

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  • Brückentreiber 0.4 A 0.2 10...20 V 10...15.6 DIL-8 -40...+125 °C

    Brückentreiber 0.4 A 0.2 10...20 V 10...15.6 DIL-8 -40...+125 °C

    High and Low Side Treiber. Bezeichnung: Brückentreiber, Ausgangsspannung: 10...20 V, Betriebstemperatur: -40...+125 °C, Versorgungsspannung: 10...15.6 V, Gehäuse: DIL-8, Sink-Ausgangsstrom: 0.4 A, Source-Ausgangsstrom: 0.2 A, Brückentreiber 0.4 A 0.2...

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  • Brückentreiber 2.3 A 1.9 10...20 V DIL-8 -40...+125 °C

    Brückentreiber 2.3 A 1.9 10...20 V DIL-8 -40...+125 °C

    High and Low Side Treiber. Bezeichnung: Brückentreiber, Ausgangsspannung: 10...20 V, Betriebstemperatur: -40...+125 °C, Versorgungsspannung: 10...20 V, Eingang: Logikeingang, Gehäuse: DIL-8, Sink-Ausgangsstrom: 2.3 A, Source-Ausgangsstrom: 1.9 A, Brückentr

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  • MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220 N, 375 W

    MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220 N, 375 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 375 W, MOSFET N 200 V 76 A 20 m? TO-220

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  • MOSFET N 100 V 17 A 0.15 ? D2PAK N, 3.8 W

    MOSFET N 100 V 17 A 0.15 ? D2PAK N, 3.8 W

    Power MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: D2PAK, Polarität: N, Verlustleistung: 3.8 W, MOSFET N 100 V 17 A 0.15 ? D2PAK

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  • MOSFET N 55 V 30 A 24.5 m? IPAK N, 48 W

    MOSFET N 55 V 30 A 24.5 m? IPAK N, 48 W

    Leistungs-FETs. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: IPAK, Polarität: N, Verlustleistung: 48 W, MOSFET N 55 V 30 A 24.5 m? IPAK

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  • MOSFET N 30 V 5.5 A 70 m? SOT-223 N, 2.1 W

    MOSFET N 30 V 5.5 A 70 m? SOT-223 N, 2.1 W

    Power MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: N, Verlustleistung: 2.1 W, MOSFET N 30 V 5.5 A 70 m? SOT-223

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