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    • MOSFET N 55 V 36 A 110 W 27 m? IPAK

      MOSFET N 55 V 36 A 110 W 27 m? IPAK

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      HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: IPAK, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 110 W, MOSFET N 55 V 36 A 110 W 27 m? IPAK

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      MOSFET N 55 V 36 A 110 W 27 m? IPAK

      HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: IPAK, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlu...

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    • MOSFET N 100 V 15 A 79 W 1.05 ? IPAK

      MOSFET N 100 V 15 A 79 W 1.05 ? IPAK

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      MOSFET N 100 V 15 A 79 W 1.05 ? IPAK

      HEXFET® Leistungs-MOSFETs, Logic Level. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: IPAK, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlu...

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    • IGBT 600 V 28 A 2.7 160 ns D2-PAK

      IGBT 600 V 28 A 2.7 160 ns D2-PAK

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      IGBT 600 V 28 A 2.7 160 ns D2-PAK

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      IGBT 600 V 40 A 2.5 124 ns TO-247AC

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      HEXFET Power MOSFET. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: PQFN-8 (5x6), Polarität: N, Verlustleistung: 3.6 W, MOSFET N 200 V 3.8 A 99.9 m? PQFN-8 (5x6)

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      MOSFET N 200 V 3.8 A 99.9 m? PQFN-8 (5x6) N, 3.6 W

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    • MOSFET N 30 V 21 A 5.0 m? PQFN-8 (5x6) N, 3.6 W

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      HEXFET Power MOSFET. Bezeichnung: MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: PQFN-8 (5x6), Polarität: N, Verlustleistung: 3.6 W, MOSFET N 30 V 21 A 5.0 m? PQFN-8 (5x6)

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    • MOSFET N 25 V 9.9 A 13.0 m? PQFN-6 (2x2) N, 2.1 W

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    CD/DVD Rohlinge verschiedener Hersteller, Druck/Kopierservice,CO-Packing

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